Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF8VP13350NR3

TRANS RF LDMOS 350W 50V

Paket/Kılıf
OM780-4
Seri / Aile Numarası
MRF8VP13350NR3

MRF8VP13350NR3 Hakkında

NXP Semiconductors tarafından üretilen MRF8VP13350NR3, 1.3 GHz frekans aralığında çalışan dual LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 350W çıkış gücüne sahip bu bileşen, 19.2 dB kazanç sağlayarak yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. 50V test voltajında ve 100V nominal voltajda çalışan bu transistör, UHF/L-band haberleşme sistemleri, yayın verici amplifikasleri ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak yer alır. OM780-4 paket tipi ile sunulan bileşen, 100 mA test akımında değerlendirilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 100 mA
Frequency 1.3GHz
Gain 19.2dB
Package / Case OM780-4
Part Status Active
Power - Output 350W
Supplier Device Package OM780-4
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 100 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok