Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8VP13350GNR3
TRANS RF LDMOS 350W 50V
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-780G-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8VP13350GNR3
MRF8VP13350GNR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen MRF8VP13350GNR3, RF uygulamaları için tasarlanmış dual LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. 350W çıkış gücü ve 50V test voltajında çalışabilen bu bileşen, 1.3GHz frekans aralığında 19.2dB kazanç sağlar. OM-780G-4L paketinde sunulan komponent, 100V nominal voltaj derecelendirmesi ile endüstriyel RF güç amplifikatörleri, broadcast sistemleri ve wireless iletişim uygulamalarında kullanılır. Yüksek frekanslı sinyal işleme ve güç aktarımı gerektiren tasarımlar için uygun özellikleriyle bilinir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 1.3GHz |
| Gain | 19.2dB |
| Package / Case | OM-780G-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 350W |
| Supplier Device Package | OM-780G-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 100 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok