Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF8S9170NR3

RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-

Paket/Kılıf
OM-780-2
Seri / Aile Numarası
MRF8S9170

MRF8S9170NR3 Hakkında

MRF8S9170NR3, Rochester Electronics tarafından üretilen LDMOS tipinde RF transistördür. Ultra yüksek frekanslı (920MHz) uygulamalar için tasarlanmış bu bileşen, 50W çıkış gücü kapasitesiyle RF güç amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 70V nominal çalışma gerilimi ve 28V test geriliminde 1A akım ile çalışır, 19.3dB kazanç sağlar. Kablosuz iletişim, radyo frekans amplifikasyonu ve endüstriyel RF uygulamalarında yer bulur. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete status).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 1 A
Current Rating (Amps) 10µA
Frequency 920MHz
Gain 19.3dB
Package / Case OM-780-2
Part Status Obsolete
Power - Output 50W
Supplier Device Package OM-780-2
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 70 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok