Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8S21200HR6
RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-1230
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8S21200H
MRF8S21200HR6 Hakkında
MRF8S21200HR6, Rochester Electronics tarafından üretilen S-Band RF uygulamaları için N-kanallı LDMOS (Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistörüdür. Dual element yapısı ile 2.14 GHz frekansında çalışmaya uygun olan bu bileşen, 48W çıkış gücü sağlar. 65V nominal gerilim derecelendirmesi ve 28V test gerilimi ile tasarlanmıştır. 18.1 dB kazanç değeri ile sinyal güçlendirme uygulamalarında kullanılır. İletişim sistemleri, radyo frekans amplifikatörleri ve endüstriyel RF cihazlarında yer alır. NI-1230 paket tipi ile standart entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.4 A |
| Frequency | 2.14GHz |
| Gain | 18.1dB |
| Package / Case | NI-1230 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 48W |
| Supplier Device Package | NI-1230 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok