Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8S21100HSR3
RF S BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8S21100H
MRF8S21100HSR3 Hakkında
MRF8S21100HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen S-band RF uygulamaları için tasarlanmış N-channel LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistörüdür. 2.17 GHz çalışma frekansında 24W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 28V test gerilimi altında 700mA akım kapasitesine sahiptir. 65V nominal çalışma gerilimi ve 18.3dB kazanç karakteristiği ile RF güç amplifikatör devrelerinde, kablosuz haberleşme sistemlerinde ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır. NI-780S kasa tipi ile sunulan komponent, yüksek verimli RF sinyal işleme gerektiren uygulamalara uygundur. Mevcut durumu kullanım dışı (Obsolete) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 700 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.17GHz |
| Gain | 18.3dB |
| Package / Case | NI-780S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 24W |
| Supplier Device Package | NI-780S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok