Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF8S19260HSR5

FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8

Paket/Kılıf
SOT-1110B
Seri / Aile Numarası
MRF8S19260HSR5

MRF8S19260HSR5 Hakkında

MRF8S19260HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual-channel LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 1.99GHz çalışma frekansında, 65V anma gerilimiyle tasarlanmış bu komponent, 74W çıkış gücü ve 18.2dB kazanç sağlamaktadır. Test koşullarında 30V gerilimde 1.6A akım değeri göstermektedir. SOT-1110B paketinde sunulan bu transistör, mobil haberleşme, broadcast ve endüstriyel RF uygulamalarında sinyal amplifikasyonu için kullanılır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 1.6 A
Frequency 1.99GHz
Gain 18.2dB
Package / Case SOT-1110B
Part Status Obsolete
Power - Output 74W
Supplier Device Package NI1230S-8
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok