Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8S18120HSR3
RF L BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8S18120HSR3
MRF8S18120HSR3 Hakkında
MRF8S18120HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen L-band RF uygulamaları için tasarlanmış N-channel LDMOS transistördür. 1.81 GHz çalışma frekansında 72W çıkış gücü sağlar ve 18.2dB kazanç sunar. 28V test gerilimi ve 800mA test akımında değerlendirilmiştir. Maksimum 65V derecelendirilmiş gerilimidir. NI-780S paketinde sunulan bu bileşen, radyo frekans güç yükselteçleri, iletişim sistemleri ve broadcast uygulamalarında kullanılmaktadır. Ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, stok talebi Rochester Electronics aracılığıyla temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 800 mA |
| Frequency | 1.81GHz |
| Gain | 18.2dB |
| Package / Case | NI-780S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 72W |
| Supplier Device Package | NI-780S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok