Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF8P8300HSR6

FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S

Paket/Kılıf
NI-1230S
Seri / Aile Numarası
MRF8P8300HSR6

MRF8P8300HSR6 Hakkında

MRF8P8300HSR6, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS RF transistörüdür. 820MHz çalışma frekansı ve 70V nominal gerilim ile tasarlanmıştır. 96W çıkış gücü kapasitesi ile radyo frekans güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır. 20.9dB kazanç ve 2A test akımı özellikleri ile mobil haberleşme, broadcast ve endüstriyel RF sistemlerinde yer alan güç yükseltme devrelerinde uygulanır. NI-1230S paketinde sunulan bu bileşen, 28V test gerilimi koşullarında karakterize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 2 A
Frequency 820MHz
Gain 20.9dB
Package / Case NI-1230S
Part Status Obsolete
Power - Output 96W
Supplier Device Package NI-1230S
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 70 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok