Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8P29300HSR6
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230S
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8P29300HSR6
MRF8P29300HSR6 Hakkında
MRF8P29300HSR6, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS RF transistörleridir. 2.9GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 65V nominal voltaj ve 320W çıkış gücüne sahiptir. 13.3dB kazanç değeri ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. NI-1230S pakajında sunulan transistör, GSM, CDMA ve diğer wireless haberleşme sistemlerindeki güç amplifikasyonu, broadcasting ve ticari RF uygulamalarında tercih edilir. Test koşullarında 100mA akım ve 30V voltaj ile değerlendirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 2.9GHz |
| Gain | 13.3dB |
| Package / Case | NI-1230S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 320W |
| Supplier Device Package | NI-1230S |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok