Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF8P26080HSR3

RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL

Paket/Kılıf
NI-780S-4L
Seri / Aile Numarası
MRF8P26080HS

MRF8P26080HSR3 Hakkında

MRF8P26080HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen RF LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) dual transistördür. S Band frekans aralığında (2.62GHz) çalışan bu N-channel MOSFET, 14W çıkış gücü ve 15dB kazanç özellikleriyle RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 65V nominal voltaj ve 28V test koşullarında 300mA çalışma akımı ile tasarlanmıştır. NI-780S-4L paketi içerisinde sunulan bu bileşen, haberleşme sistemleri, radar ve S Band frekans uygulamalarında RF güç kademelerinde yer alır. Üretim durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 300 mA
Current Rating (Amps) 10µA
Frequency 2.62GHz
Gain 15dB
Package / Case NI-780S-4L
Part Status Obsolete
Power - Output 14W
Supplier Device Package NI-780S-4L
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok