Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8P20165WHSR3
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8P20165
MRF8P20165WHSR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen MRF8P20165WHSR3, RF uygulamaları için tasarlanmış dual kanal LDMOS FET transistörüdür. 65V nominal gerilim ve 37W çıkış gücü ile 1.98-2.01GHz frekans bandında çalışır. 14.8dB kazançla, 28V test geriliminde 550mA akım sağlayabilen bu bileşen, radyo frekansı güç amplifikatörleri ve haberleşme sistemlerinde uygulanır. NI-780S-4L paketinde sunulan transistör, mobil haberleşe, broadcast ve endüstriyel RF sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Ürün hali hazırda obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 550 mA |
| Frequency | 1.98GHz ~ 2.01GHz |
| Gain | 14.8dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 37W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok