Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8P20161HSR3
RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8P20161H
MRF8P20161HSR3 Hakkında
MRF8P20161HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen S-Band frekans bandında çalışan RF LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. 1.92 GHz frekansda 16.4 dB kazanç sağlayan bu dual-element MOSFET, 37W çıkış gücü ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 28V test voltajında 550mA akım ile tasarlanan komponent, 65V rated voltajda çalışabilir. NI-780S-4L paketinde üretilen bu transistör, telekomünikasyon sistemi, radyo frekans amplifikatörleri ve S-Band haberleşme ekipmanlarında güç amplifikasyonu için kullanılan profesyonel bir RF bileşenidir. Teknolojik gelişmeye bağlı olarak artık üretilmemektedir (Obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 550 mA |
| Frequency | 1.92GHz |
| Gain | 16.4dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 37W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok