Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF8P20160HSR5

FET RF 2CH 65V 1.92GHZ

Paket/Kılıf
NI-780S-4L
Seri / Aile Numarası
MRF8P20160HSR5

MRF8P20160HSR5 Hakkında

MRF8P20160HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual channel LDMOS RF FET transistörüdür. 1.92GHz frekansında çalışan bu bileşen, 65V nominal voltaj ve 28V test voltajında 550mA akım kapasitesine sahiptir. 37W çıkış gücü ve 16.5dB kazançla tasarlanan bu RF transistörü, radyo frekans amplifikasyon uygulamalarında, kablosuz iletişim sistemlerinde ve RF güç yönetimi devrelerinde kullanılır. NI-780S-4L paketinde sunulan komponent, yüksek frekans ve güç gereksinimleri olan telekomünikasyon ve wireless haberleşme cihazlarında yaygın olarak uygulanır. Şu anda kullanım dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 550 mA
Frequency 1.92GHz
Gain 16.5dB
Package / Case NI-780S-4L
Part Status Obsolete
Power - Output 37W
Supplier Device Package NI-780S-4L
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok