Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8P20160HSR3
RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8P20160HSR3
MRF8P20160HSR3 Hakkında
MRF8P20160HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen dual-element LDMOS N-Channel RF transistörüdür. L-Band frekans aralığında (1.92GHz) çalışmak üzere tasarlanmış bu bileşen, 37W çıkış gücü ile radyo frekans amplifikatör uygulamalarında kullanılır. 16.5dB kazanç sağlayan transistör, 65V değerlendirilmiş gerilim ve 28V test geriliminde 550mA test akımı ile çalışır. NI-780S-4L paket tipinde sunulan bu RF MOSFET, iletişim sistemleri, broadcast ve endüstriyel RF uygulamalarında güç amplifikasyon aşamalarında yer alır. Mevcut durumu itibariyle ürün üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 550 mA |
| Frequency | 1.92GHz |
| Gain | 16.5dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 37W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok