Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF8P20160HR5

FET RF 2CH 65V 1.92GHZ

Paket/Kılıf
NI-780-4
Seri / Aile Numarası
MRF8P20160HR5

MRF8P20160HR5 Hakkında

MRF8P20160HR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 1.92 GHz frekansında çalışan bu bileşen, 65V rated voltajda 37W çıkış gücü sağlayabilir. 16.5dB kazanç ile radyo frekansı amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 550mA test akımı ve 28V test voltajında karakterize edilmiştir. NI-780-4 paket tipi ile sunulan bu transistör, özellikle mobil iletişim, baz istasyonları ve profesyonel RF amplifikasyon sistemlerinde uygulanmıştır. Düşük parazitik kapasitans ve yüksek frekans stabilite özellikleri ile bilinir. Ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) olup, mevcut stok üzerinden temini sağlanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 550 mA
Frequency 1.92GHz
Gain 16.5dB
Package / Case NI-780-4
Part Status Obsolete
Power - Output 37W
Supplier Device Package NI-780-4
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok