Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8P20160HR3
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8P20160HR3
MRF8P20160HR3 Hakkında
MRF8P20160HR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS RF FET transistörüdür. 1.92GHz işletme frekansında 37W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, radyofrekans güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. 65V nominal çalışma voltajı ve 16.5dB kazanç özellikleriyle, mobil telekomünikasyon, veri iletişimi ve endüstriyel RF sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmiştir. NI-780-4 paketinde sunulan komponent, 28V test voltajında 550mA akım değeri ile karakterize edilmiştir. Yüksek frekans uygulamalarında verimli performans için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 550 mA |
| Frequency | 1.92GHz |
| Gain | 16.5dB |
| Package / Case | NI-780-4 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 37W |
| Supplier Device Package | NI-780-4 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok