Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8P20140WGHSR3
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8P20140WG
MRF8P20140WGHSR3 Hakkında
MRF8P20140WGHSR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual-channel LDMOS RF transistörüdür. 1.88-1.91GHz frekans aralığında çalışan bu FET, 65V nominal gerilim altında 24W çıkış gücü sağlamaktadır. 16dB kazanç ve 500mA test akımı özellikleri ile GSM, CDMA ve diğer mobil iletişim uygulamalarında kullanılır. NI-780S-4L paket tipi ile yüksek entegrasyon yoğunluğu sunar. 28V test geriliminde karakterize edilen bu bileşen, RF güç amplifikasyon alanında endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 500 mA |
| Frequency | 1.88GHz ~ 1.91GHz |
| Gain | 16dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 24W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok