Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8P20100HSR3
RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8P20100HSR3
MRF8P20100HSR3 Hakkında
MRF8P20100HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen S-Band RF uygulamaları için tasarlanmış dual LDMOS transistördür. 2.03 GHz frekansında çalışan bu N-kanal bileşen, 20W çıkış gücü ve 16dB kazanç sunmaktadır. 28V test gerilimi ve 65V nominal gerilim aralığında çalışır. 400mA test akımıyla tasarlanmış NI-780S-4L paketinde barındırılır. Haberleşe, radar, kablosuz iletişim ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılan bu transistör, yüksek frekans ve orta güç seviyesi gerektiren sistemlerde tercih edilir. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 400 mA |
| Frequency | 2.03GHz |
| Gain | 16dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 20W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok