Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF8HP21080HR5
RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF8HP21080HR5
MRF8HP21080HR5 Hakkında
MRF8HP21080HR5, Rochester Electronics tarafından üretilen RF güç amplifikasyonu uygulamaları için tasarlanmış N-channel LDMOS (Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. 2.17 GHz frekans bandında çalışan bu bileşen, 28V test gerilimi altında 16W çıkış gücü ve 14.4dB kazanç sağlayarak RF ve mikrodalga haberleşme sistemlerinde kullanılmaktadır. NI-780-4 paketinde sunulan ve 65V nominal gerilime sahip bu transistör, mobil haberleşme altyapısı, uydu iletişimi ve endüstriyel RF uygulamalarında güç amplifikatörleri tasarımında yer alır. Dual MOSFET konfigürasyonu sayesinde dengeli çalışma ve improved linearity özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Frequency | 2.17GHz |
| Gain | 14.4dB |
| Package / Case | NI-780-4 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 16W |
| Supplier Device Package | NI-780-4 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok