Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF7S24250NR3
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- OM-780-2
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF7S24250NR3
MRF7S24250NR3 Hakkında
MRF7S24250NR3, Rochester Electronics tarafından üretilen RF güç transistörüdür. LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) teknolojisine dayanan bu komponent, 2.45GHz frekansında çalışmaya tasarlanmıştır. 256W çıkış gücü, 14.7dB kazanç ve 65V nominal gerilim derecesi ile ISM bant uygulamaları, Wi-Fi sistemleri, endüstriyel ısıtma ve tıbbi cihazlarda kullanılır. 30V test gerilimiyle doğrulanan bu transistör, yüksek frekanslı güç amplifikasyon gerektiren haberleşme ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 2.45GHz |
| Gain | 14.7dB |
| Package / Case | OM-780-2 |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 256W |
| Supplier Device Package | OM-780-2 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok