Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF7S21080HSR3
RF S BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF7S21080HS
MRF7S21080HSR3 Hakkında
MRF7S21080HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen S-Band RF uygulamaları için tasarlanmış N-Channel LDMOS transistördür. 2.11GHz - 2.17GHz frekans aralığında 22W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 18dB kazanç ile kablosuz iletişim, radar ve satellit haberleşme sistemlerinde kullanılır. 65V (nominal) işletme gerilimi ve 28V test geriliminde 800mA test akımıyla çalışan transistör, NI-780S paketinde sunulmaktadır. Yüksek verimlilik ve doğrusal amplifikasyon gerektiren RF sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 800 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Gain | 18dB |
| Package / Case | NI-780S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 22W |
| Supplier Device Package | NI-780S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok