Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF7S19210HSR3

FET RF 65V 1.99GHZ NI780S

Paket/Kılıf
NI-780S
Seri / Aile Numarası
MRF7S19210

MRF7S19210HSR3 Hakkında

MRF7S19210HSR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS teknolojisine dayalı RF güç transistörüdür. 1.99 GHz frekans bandında çalışmaya tasarlanmış bu komponent, 65V rated gerilim ve 63W çıkış gücü ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 20dB kazanç ve NI-780S paketlemesi ile şiddetli endüstriyel ve iletişim sistemlerinde kablosuz verici, radar ve broadcast altyapısı gibi uygulamalarda yer almaktadır. Test parametreleri: 28V test gerilimi, 1.4A test akımı. Not: Bu komponent üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, yeni tasarımlarda yerini daha güncel alternatiflere bırakmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 1.4 A
Frequency 1.99GHz
Gain 20dB
Package / Case NI-780S
Part Status Obsolete
Power - Output 63W
Supplier Device Package NI-780S
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok