Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF7S19170HSR3
RF L BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-880S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF7S19170HSR3
MRF7S19170HSR3 Hakkında
MRF7S19170HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen L-band RF LDMOS transistördür. N-kanallı bu cihaz, 1.99GHz frekansında çalışmak üzere tasarlanmıştır ve 50W çıkış gücü sağlar. 17.2dB kazanç ile RF sinyal yükseltme uygulamalarında kullanılır. 28V test voltajında 1.4A akım kapasitesine sahiptir ve maksimum 65V çalışma voltajında güvenle işletilmesi gerekir. NI-880S paket tipi ile sunulan bu RF transistörü, endüstriyel haberleşme, radar, broadcast ve telsiz uygulamalarında rf güç yükseltme aşamalarında kullanıldığında verimli performans gösterir. Üretim süresi doldukça parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.4 A |
| Frequency | 1.99GHz |
| Gain | 17.2dB |
| Package / Case | NI-880S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 50W |
| Supplier Device Package | NI-880S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok