Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF7S18125BHSR3

FET RF 65V 1.93GHZ NI780

Paket/Kılıf
NI-780S
Seri / Aile Numarası
MRF7S18125BH

MRF7S18125BHSR3 Hakkında

NXP Semiconductors tarafından üretilen MRF7S18125BHSR3, 1.93 GHz çalışma frekansında tasarlanmış bir RF LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. 65V nominal voltaj ile 125W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 16.5dB kazanç değeri ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. NI-780S paket tipinde sunulan transistör, kablosuz iletişim sistemleri, radar, endüstriyel ısıtma ve telsiz haberleşme cihazlarında RF amplifikasyon aşamalarında yer alır. Test koşullarında 28V gerilim ve 1.1A akım değerlerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 1.1 A
Frequency 1.93GHz
Gain 16.5dB
Package / Case NI-780S
Part Status Obsolete
Power - Output 125W
Supplier Device Package NI-780S
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok