Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF7P20040HSR3
RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF7P20040HSR3
MRF7P20040HSR3 Hakkında
MRF7P20040HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış dual LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) N-channel transistördür. S Band frekans aralığında (2.03 GHz) çalışan bu bileşen, 10W çıkış gücü ile kablosuz iletişim, radar sistemleri ve RF güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır. 65V nominal voltaj ve 18.2dB kazanç özellikleri ile RF sinyal işleme ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. NI-780S-4L paketi ile sunulan kompakt tasarım, yüksek frekans uygulamalarında verimli performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.03GHz |
| Gain | 18.2dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 10W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok