Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF6VP2600HR6

FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230

Paket/Kılıf
NI-1230
Seri / Aile Numarası
MRF6VP2600HR6

MRF6VP2600HR6 Hakkında

MRF6VP2600HR6, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual-channel LDMOS RF transistörüdür. 225MHz frekans aralığında çalışan bu FET, 110V nominal çalışma voltajında 125W çıkış gücü sağlar. 25dB kazanç değeri ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. NI-1230 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel RF sistemler, broadcasting ekipmanları ve kablosuz iletişim cihazlarında RF güç yükseltme aşamalarında yer alır. Test koşullarında 50V gerilimde 2.6A akım kapasitesi mevcuttur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 2.6 A
Frequency 225MHz
Gain 25dB
Package / Case NI-1230
Part Status Obsolete
Power - Output 125W
Supplier Device Package NI-1230
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 110 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok