Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6VP121KHR5178
LATERAL N CHANNEL BROADBAND RF ,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-1230
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6VP121KHR5
MRF6VP121KHR5178 Hakkında
MRF6VP121KHR5178, Rochester Electronics tarafından üretilen lateral N-channel LDMOS (Dual) RF MOSFET transistördür. 965MHz ile 1.215GHz arasında çalışan geniş bant RF uygulamaları için tasarlanmıştır. 1000W çıkış gücü, 21.4dB kazanç ve 110V nominal çalışma voltajı ile mobil iletişim, taban istasyonu amplifikatörleri, FM radyo ve endüstriyel RF sistemlerinde kullanılır. NI-1230 paketinde sunulan bu transistör, yüksek verimlilik ve güvenilir performans gerektiren broadband RF güç amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Current Rating (Amps) | 100µA |
| Frequency | 965MHz ~ 1.215GHz |
| Gain | 21.4dB |
| Package / Case | NI-1230 |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 1000W |
| Supplier Device Package | NI-1230 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 110 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok