Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6VP11KHR5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-1230S-4 GW
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6VP11KHR5
MRF6VP11KHR5 Hakkında
MRF6VP11KHR5, Rochester Electronics tarafından üretilen RF güç transistörüdür. LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) teknolojisine dayanan bu dual transistör, 130 MHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 1000W çıkış gücü ve 26dB kazanç değerleri ile radyo frekans amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50V test gerilimi ve 110V nominal çalışma gerilimi ile belirtilen bu bileşen, NI-1230S-4 GULL paketinde sunulur. Haberleşme sistemleri, yayın ekipmanları ve endüstriyel RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Part Status | Active |
| Frequency | 130MHz |
| Gain | 26dB |
| Package / Case | NI-1230S-4 GW |
| Power - Output | 1000W |
| Supplier Device Package | NI-1230S-4 GULL |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 110 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok