Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6V3090NBR1
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-272BB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6V3090N
MRF6V3090NBR1 Hakkında
MRF6V3090NBR1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel LDMOS RF transistörüdür. 860MHz ultra yüksek frekans bandında çalışmaya tasarlanmış bu bileşen, 22dB kazanç ve 18W çıkış gücü sunmaktadır. TO-272 paketinde sunulan transistör, 110V nominal voltajda ve 50V test voltajında işletilmektedir. 350mA test akımı ile belirtilen bu bileşen, RF güç amplifikasyon uygulamalarında, telsiz haberleşme sistemlerinde ve yüksek frekans endüstriyel uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 350 mA |
| Frequency | 860MHz |
| Gain | 22dB |
| Package / Case | TO-272BB |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 18W |
| Supplier Device Package | TO-272 WB-4 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 110 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok