Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF6V2300NBR5

FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

Paket/Kılıf
TO-272BB
Seri / Aile Numarası
MRF6V2300N

MRF6V2300NBR5 Hakkında

MRF6V2300NBR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS teknolojisine dayalı RF güç transistörüdür. 110V depolama gerilimi ve 220MHz çalışma frekansı ile tasarlanmış, 300W çıkış gücü sunar. TO-272-4 paketinde sunulan bu transistör, 25.5dB kazanç değerine sahip olup, 900mA test akımında karakterize edilmiştir. RF ve microwave uygulamalarında, özellikle broadcast ve telsiz haberleşme sistemlerinde güç amplifikasyon aşamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Yüksek verimlilik ve geniş bant genişliği gerektiren endüstriyel RF uygulamaları için uygun bir çözümdür. Ürün şu anda üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 900 mA
Frequency 220MHz
Gain 25.5dB
Package / Case TO-272BB
Part Status Obsolete
Power - Output 300W
Supplier Device Package TO-272 WB-4
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 110 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok