Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6V2150NR1
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-270AB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6V2150NR
MRF6V2150NR1 Hakkında
MRF6V2150NR1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistördür. Ultra yüksek frekans bandında çalışan bu bileşen, 220 MHz frekansında 150W çıkış gücü sağlamaktadır. 25dB kazanç değeri ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-270AB paket tipi ile sunulan transistör, 110V nominal gerilim ve 50V test geriliminde 450mA akım kapasitesine sahiptir. Radyo frekans haberleşesi, yayın sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 450 mA |
| Frequency | 220MHz |
| Gain | 25dB |
| Package / Case | TO-270AB |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 150W |
| Supplier Device Package | TO-270 WB-4 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 110 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok