Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF6V2150NBR1

FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

Paket/Kılıf
TO-272BB
Seri / Aile Numarası
MRF6V2150NBR1

MRF6V2150NBR1 Hakkında

MRF6V2150NBR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tipinde RF MOSFET transistördür. 110V nominal gerilim ve 220MHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 150W çıkış gücü kapasitesine sahip olan bu bileşen, 25dB kazanç sağlar. TO-272-4 (TO-272 WB-4) paketinde sunulan transistör, RF güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. Uydu haberleşmesi, telsiz haberleşe sistemleri, mobil iletişim ve endüstriyel RF uygulamalarında tercih edilir. 450mA test akımı ile 50V test geriliminde karakterize edilen bileşen, yüksek frekans RF devrelerinde verimli güç işleme sağlar. Bileşen üretim durdurulmuş statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 450 mA
Frequency 220MHz
Gain 25dB
Package / Case TO-272BB
Part Status Obsolete
Power - Output 150W
Supplier Device Package TO-272 WB-4
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 110 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok