Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6V2010NBR1
FET RF 110V 220MHZ TO272-2
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-272BC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6V2010NBR
MRF6V2010NBR1 Hakkında
MRF6V2010NBR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS RF transistörüdür. 110V rated voltaj ve 220MHz çalışma frekansında 10W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 23.9dB kazanç ile yüksek frekanslı güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-272BC paket tipi ile entegre edilen transistör, 50V test voltajında 30mA test akımı ile karakterize edilmiştir. Radyo frekans amplifikatörleri, broadcast ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak yer alan bu komponentin üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 30 mA |
| Frequency | 220MHz |
| Gain | 23.9dB |
| Package / Case | TO-272BC |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 10W |
| Supplier Device Package | TO-272-2 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 110 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok