Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6V2010GNR1
FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-270BA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6V2010
MRF6V2010GNR1 Hakkında
MRF6V2010GNR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 110V derecelendirilmiş voltaj ve 220MHz çalışma frekansında tasarlanmıştır. 10W çıkış gücü ve 23.9dB kazançla RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-270BA kasa içinde paketlenmiş bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama ve güç amplifikasyonu gerektiren endüstriyel RF sistemlerde yer alır. Ürün hali hazırda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 30 mA |
| Frequency | 220MHz |
| Gain | 23.9dB |
| Package / Case | TO-270BA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 10W |
| Supplier Device Package | TO-270G-2 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 110 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok