Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6V13250HSR3
FET RF 120V 1.3GHZ NI780S
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6V13250H
MRF6V13250HSR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen MRF6V13250HSR3, LDMOS teknolojisine dayalı bir RF MOSFET transistördür. 120V çalışma gerilimi ve 1.3GHz frekans aralığında tasarlanmış bu komponent, 250W çıkış gücü sunmaktadır. 22.7dB kazanç değeri ile RF uygulamalarında sinyali güçlendirmek için kullanılır. NI-780S paket formatında üretilen bu transistör, endüstriyel RF güç amplifikatörleri, telsiz haberleşme sistemleri ve yüksek frekanslı güç uygulamalarında yaygın olarak yer almaktadır. Test koşullarında 100mA akım ve 50V gerilim ile karakterize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 1.3GHz |
| Gain | 22.7dB |
| Package / Case | NI-780S |
| Part Status | Market |
| Power - Output | 250W |
| Supplier Device Package | NI-780S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 120 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok