Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6V12500GSR5
PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780GS-2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6V12500GSR5
MRF6V12500GSR5 Hakkında
MRF6V12500GSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen pulsed lateral N-channel RF güç transistörüdür. LDMOS teknolojisine dayanan bu transistör, 960MHz ile 1.215GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 50V test voltajında 200mA akım ile 19.7dB kazanç sunmaktadır. Maksimum 110V dereceli voltaj ile RF güç amplifikasyon uygulamalarında, mobil haberleşme sistemlerinde ve frekans modülasyonlu güç kaynakları gibi yüksek frekanslı endüstriyel uygulamalarda kullanılır. NI-780GS-2L paketleme ile sunulan bu bileşen aktif üretim statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 200 mA |
| Current Rating (Amps) | 200µA |
| Frequency | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Gain | 19.7dB |
| Package / Case | NI-780GS-2L |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | NI-780GS-2L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 110 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok