Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6V12250HSR5
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6V12250H
MRF6V12250HSR5 Hakkında
MRF6V12250HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 100V derecelendirilmiş voltaj ve 1.03GHz çalışma frekansı ile tasarlanmış bu komponent, 275W çıkış gücü sağlayabilmektedir. 20.3dB kazanç değeri ile işaret amplifikasyonu gerçekleştirir. NI-780S paketinde sunulan bu transistör, profesyonel RF uygulamalarında, telsiz haberleşme sistemlerinde, güç amplifikatörleri ve yayın ekipmanlarında kullanılır. Endüstriyel seviyede sinyal işleme ve gücü güvenilir bir şekilde iletmek gereken uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 1.03GHz |
| Gain | 20.3dB |
| Package / Case | NI-780S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 275W |
| Supplier Device Package | NI-780S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 100 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok