Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6V12250HSR3
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6V12250HSR3
MRF6V12250HSR3 Hakkında
MRF6V12250HSR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tabanlı RF MOSFET transistördür. 100V nominal voltaj ile çalışacak şekilde tasarlanmış olup, 1.03GHz frekans aralığında 20.3dB kazanç sağlar. 275W çıkış gücü kapasitesi ile RF güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. NI-780S paket tipi ile sunulan bu bileşen, radyo frekansı haberleşme sistemleri, broadcast sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında yer alan güç amplifikasyon devrelerinde uygulanır. 50V test voltajında 100mA test akımı ile karakterize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 1.03GHz |
| Gain | 20.3dB |
| Package / Case | NI-780S |
| Part Status | Market |
| Power - Output | 275W |
| Supplier Device Package | NI-780S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 100 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok