Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF6V10250HSR3

FET RF 100V 1.09GHZ NI780S

Paket/Kılıf
NI-780S
Seri / Aile Numarası
MRF6V10250HSR3

MRF6V10250HSR3 Hakkında

MRF6V10250HSR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS türü RF FET transistörüdür. 100V nominal gerilim derecesi ile 1.09GHz frekansında çalışmaya uygun olan bu komponent, 250W çıkış gücü sağlar. 21dB kazanç özelliğine sahip transistör, RF güç amplifikatörleri, kablosuz iletişim sistemleri ve yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. NI-780S paket tipinde üretilen komponent, endüstriyel ve ticari RF uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 250 mA
Frequency 1.09GHz
Gain 21dB
Package / Case NI-780S
Part Status Obsolete
Power - Output 250W
Supplier Device Package NI-780S
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 100 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok