Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF6V10010NR4

FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5

Paket/Kılıf
PLD-1.5
Seri / Aile Numarası
MRF6V10010NR4

MRF6V10010NR4 Hakkında

MRF6V10010NR4, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tipinde RF güç transistörüdür. 100V derecelendirilmiş voltaj ile 1.09GHz frekans aralığında çalışan bu komponent, 10W çıkış gücü ve 25dB kazanç sunmaktadır. PLD-1.5 paket tipinde sunulan transistör, 50V test voltajında 10mA test akımı ile karakterize edilmiştir. RF amplifikatör uygulamaları, ses frekansı ve ultra yüksek frekans (UHF) yayın sistemleri ile endüstriyel RF haberleşme cihazlarında kullanılır. Yüksek verimlilik ve doğrusal çalışma özellikleriyle tasarlanan bu LDMOS transistörü, güvenilir RF sinyal amplifikasyonu gerektiren uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 10 mA
Frequency 1.09GHz
Gain 25dB
Package / Case PLD-1.5
Part Status Active
Power - Output 10W
Supplier Device Package PLD-1.5
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 100 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok