Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6S9160HSR3
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6S9160HS
MRF6S9160HSR3 Hakkında
MRF6S9160HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen LDMOS teknolojisine dayalı RF transistörüdür. 880MHz ultrayüksek frekans bandında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 35W çıkış gücü, 20.9dB kazanç ve 28V test voltajında 1.2A akım ile RF güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. NI-780S paketine sahip bu bileşen, mobil haberleşme altyapısı, kablosuz iletişim sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında yer bulmuştur. Maksimum 68V nominal gerilim ile çalışabilir. Parça kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.2 A |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 880MHz |
| Gain | 20.9dB |
| Package / Case | NI-780S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 35W |
| Supplier Device Package | NI-780S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok