Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6S23100HSR3
RF S BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6S23100HS
MRF6S23100HSR3 Hakkında
MRF6S23100HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen S-band RF LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. N-channel konfigürasyonda tasarlanan bu bileşen, 2.4GHz frekans bandında çalışmaya uygun olup, 20W çıkış gücü ve 15.4dB kazanç sağlar. 28V test gerilimi ve 68V nominal gerilim değerleri ile RF güç amplifikatörü uygulamalarında, kablosuz haberleşme sistemlerinde ve endüstriyel RF çalışmalarında kullanılır. NI-780S paket formatında sunulan bileşen, artık üretimde olmayan (obsolete) bir parçadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1 A |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.4GHz |
| Gain | 15.4dB |
| Package / Case | NI-780S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 20W |
| Supplier Device Package | NI-780S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok