Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6S20010GNR1
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-270BA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6S20010GNR1
MRF6S20010GNR1 Hakkında
MRF6S20010GNR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF LDMOS transistördür. 28V test voltajında 10W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 2.17GHz frekans bandında 15.5dB kazanç ile çalışır. TO-270BA paketinde sunulan transistör, 68V nominal voltaj değerine kadar dayanacak şekilde tasarlanmıştır. 130mA test akımında belirtilen özellikleri sunar. RF amplifikasyon uygulamaları, güç amplifikatörleri ve geniş bant haberleşme sistemlerinde kullanılmaktadır. Ürün son satın alma (Last Time Buy) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 130 mA |
| Frequency | 2.17GHz |
| Gain | 15.5dB |
| Package / Case | TO-270BA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 10W |
| Supplier Device Package | TO-270-2 GULL |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok