Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6S19100NBR1
RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-272BB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6S19100NBR1
MRF6S19100NBR1 Hakkında
MRF6S19100NBR1, Rochester Electronics tarafından üretilen RF güç N-kanallı LDMOS transistördür. 68V nominal voltajda 22W çıkış gücü sunarak, 1.99GHz frekans aralığında çalışmaya tasarlanmıştır. 14.5dB kazanç değeri ile 28V test voltajında 950mA akım sağlar. TO-272BB pakette sunulan bu bileşen, radyo frekans amplifikatör uygulamalarında, kablosuz haberleşme sistemlerinde ve güç yükseltme devrelerinde kullanılır. LDMOS teknolojisi sayesinde düşük distorsiyon ve yüksek verimlilik karakteristikleri gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 950 mA |
| Frequency | 1.99GHz |
| Gain | 14.5dB |
| Package / Case | TO-272BB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 22W |
| Supplier Device Package | TO-272 WB-4 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok