Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6S19100MBR1
FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-272BB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6S19100
MRF6S19100MBR1 Hakkında
MRF6S19100MBR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS teknolojisine dayalı RF güç transistörüdür. 68V nominal çalışma gerilimi ve 1.99GHz frekans aralığında işletim için tasarlanmış bu bileşen, 22W çıkış gücü ve 14.5dB kazanç sağlar. TO-272-4 paket tipi ile sunulan transistör, HF/VHF uygulamalarında güç yükselticisi ve sürücü olarak kullanılır. Test koşullarında 950mA akım ve 28V gerilimde karakterize edilmiştir. Darbe ve doğrusal haberleşme cihazları, telsiz vericileri ve endüstriyel RF kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Üretim statüsü itibariyle obsolete olmasına rağmen, arşiv uygulamaları ve yedek parça gereksinimlerinde mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 950 mA |
| Frequency | 1.99GHz |
| Gain | 14.5dB |
| Package / Case | TO-272-4 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 22W |
| Supplier Device Package | TO-272 WB-4 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok