Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6S19100GNR1
FET RF 68V 1.99GHZ TO-270-2 GW
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-270BA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6S19100GNR1
MRF6S19100GNR1 Hakkında
MRF6S19100GNR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir LDMOS (Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 68V nominal gerilim ile çalışan bu bileşen, 1.99GHz frekans aralığında 22W çıkış gücü sağlar. 14.5dB kazanç ve 950mA test akımı özellikleri ile radyofrekans amplifikatör uygulamalarında kullanılır. TO-270-2 GULL paket yapısı ile monte edilir. Telsiz haberleşme, yayın ve endüstriyel RF sistemlerinde güç amplifikasyonu için tasarlanmıştır. Ürün yaşlanmış (obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 950 mA |
| Frequency | 1.99GHz |
| Gain | 14.5dB |
| Package / Case | TO-270BA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 22W |
| Supplier Device Package | TO-270-2 GULL |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok