Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6S19060NBR1
RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-272BB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6S19060
MRF6S19060NBR1 Hakkında
MRF6S19060NBR1, Rochester Electronics tarafından üretilen RF güç N-channel LDMOS transistörtür. 1.93 GHz çalışma frekansında 12W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 16dB kazanç ve 610 mA test akımı özellikleriyle RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 68V nominal voltajda ve 28V test voltajında çalışır. TO-272BB paket tipinde sunulan bu transistör, mobil iletişim, radyo frekansı ve kablosuz haberleşme sistemlerinde güç amplifikatörleri olarak uygulanmaktadır. Ürün üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 610 mA |
| Frequency | 1.93GHz |
| Gain | 16dB |
| Package / Case | TO-272BB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 12W |
| Supplier Device Package | TO-272 WB-4 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok