Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF6S19060MBR1

FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4

Paket/Kılıf
TO-272BB
Seri / Aile Numarası
MRF6S19060

MRF6S19060MBR1 Hakkında

MRF6S19060MBR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tipinde RF transistörüdür. 1.93GHz çalışma frekansında 12W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 68V rated gerilimde ve 28V test geriliminde 610mA akımla çalışır. 16dB kazanç değeri ile RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-272-4 paketinde sunulan bu transistör, mobil haberleşme, yayın istasyonları ve endüstriyel RF uygulamalarında RF kaskadlarının tasarımında tercih edilir. Düşük gürültü ve yüksek verimlilik özellikleri ile lineer amplifikasyon gerektiren sistemlerde konumlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 610 mA
Frequency 1.93GHz
Gain 16dB
Package / Case TO-272-4
Part Status Obsolete
Power - Output 12W
Supplier Device Package TO-272 WB-4
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 68 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok