Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6S18100NBR1
RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-272BB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6S18100N
MRF6S18100NBR1 Hakkında
MRF6S18100NBR1, Rochester Electronics tarafından üretilen L-Band RF uygulamaları için tasarlanmış N-channel LDMOS transistördür. 28V test gerilimi altında 900mA test akımı ile çalışan bu bileşen, 100W çıkış gücü sağlar. 1.99GHz frekans aralığında 14.5dB kazanç elde eden transistör, 68V nominal gerilim derecesine sahiptir. TO-272 (WB-4) paketi içinde sunulan bu RF MOSFET, radyo frekans amplifikatörleri, broadcast uygulamaları ve RF güç amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Bileşen kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 900 mA |
| Frequency | 1.99GHz |
| Gain | 14.5dB |
| Package / Case | TO-272BB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 100W |
| Supplier Device Package | TO-272 WB-4 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok