Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6P23190HR5
POWER, N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-1230
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6P23190HR5
MRF6P23190HR5 Hakkında
MRF6P23190HR5, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) power transistöründür. 2.39 GHz frekans bandında çalışan bu RF transistörü, 40W çıkış gücü ve 14 dB kazanç sağlamaktadır. 68V rated voltaj ve 28V test voltajında kullanılabilen komponent, 1.9A test akımı ile çalışmaktadır. NI-1230 paketi içinde sunulan bu MOSFET, RF power amplifikasyon uygulamalarında, wireless iletişim sistemlerinde ve mobil haberleşme ekipmanlarında kullanılmaya uygundur. Komponent artık obsolete durumdadır ve stok bulunmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.9 A |
| Frequency | 2.39GHz |
| Gain | 14dB |
| Package / Case | NI-1230 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 40W |
| Supplier Device Package | NI-1230 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok